Hampir semua yang boleh dibaca memperkenalkan karbida silikon: karbida silikon mempunyai jarak band sebanyak 2.8 kali dari silikon (jurang jalur lebar) dan 3.09 voltan elektron. Kekuatan medan kerosakan dielektriknya adalah 5.3 kali silikon, sehingga 3.2 MV / cm. Kekonduksian habanya adalah 3.3 kali daripada silikon, iaitu 49w / cm.k. Dielektrik Schottky dan transistor kesan medan MOS yang diperbuat daripada silikon karbida mempunyai susunan magnitud yang lebih kecil daripada peranti silikon yang tahan voltan yang sama. Kepekatan kekotoran boleh menjadi dua pesanan magnitud silikon. Oleh itu, impedans per unit kawasan peranti karbida silikon adalah hanya satu ratus dari peranti silikon. Rintangan hanyut hampir sama dengan rintangan penuh peranti itu. Oleh itu, nilai kalori bagi peranti silikon karbida sangat rendah. Ini membantu mengurangkan pengaliran dan menukar kerugian, dan kekerapan operasi biasanya melebihi 10 kali lebih tinggi daripada peranti silikon. Di samping itu, semikonduktor silikon karbida mempunyai ketahanan rintangan yang kuat. Dalam tahun-tahun kebelakangan ini, peranti kuasa seperti IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors) yang diperbuat daripada bahan silikon karbida telah digunakan dalam proses seperti sub-suntikan minoriti untuk mengurangkan impedans pada keadaan pada sepersepuluh dari peranti silikon konvensional. Di samping itu, peranti karbida silikon itu sendiri mempunyai penjanaan haba yang kecil, dan oleh itu peranti karbida silikon mempunyai kekonduksian terma yang sangat baik. Juga, peranti kuasa karbida silikon boleh beroperasi pada suhu tinggi 400 ° C. Ia boleh mengawal arus besar dengan peranti kecil. Voltan operasi juga lebih tinggi. https://www.hshightec.com/
